建設(shè)亞利桑那晶圓廠二期工程,兩期工程投資總額升至400億美元,總產(chǎn)能將為5萬片/月。二期工程將建設(shè)3納米產(chǎn)線,計(jì)劃2026年投產(chǎn)。臺(tái)積電已在申請(qǐng)美國《芯片法案》補(bǔ)貼的進(jìn)程之中,如獲補(bǔ)貼,未來在中國大陸
) for 7-nanometer technology. 為重整旗鼓,英特爾于2021年迎回老將基辛格,并提出“四年五個(gè)節(jié)點(diǎn)”計(jì)劃,即四年內(nèi)完成7納米、4納米、3納米、20A(相當(dāng)于2納米)、18A(相當(dāng)于1.8納米
熱評(píng):
米、3納米、20A(相當(dāng)于2納米)、18A(相當(dāng)于1.8納米)五個(gè)節(jié)點(diǎn),力爭芯片工藝在2025年重回業(yè)界領(lǐng)先地位。 “只有兌現(xiàn)‘四年五個(gè)節(jié)點(diǎn)’的承諾,實(shí)現(xiàn)技術(shù)路線上的目標(biāo),大家才會(huì)相信英特爾。然后,我
品,遲遲延期;而臺(tái)積電當(dāng)時(shí)已經(jīng)用更先進(jìn)的EUV(極紫外光刻機(jī))去做7納米工藝。 為重整旗鼓,英特爾于2021年迎回老將基辛格,并提出“四年五個(gè)節(jié)點(diǎn)”計(jì)劃,即四年內(nèi)完成7納米、4納米、3納米、20A(相
端技術(shù)3納米芯片的樂觀情緒。該產(chǎn)品去年12月量產(chǎn),被視為一項(xiàng)技術(shù)突破,有望徹底改寫從蘋果公司的iPhone到英偉達(dá)的AI生成器在內(nèi)的一切。 但是,由于消費(fèi)需求疲軟,這一美好前景遭遇了一些挫折。本月早些
備 ? 高通5G芯片采用臺(tái)積電3納米制程 ? 亞馬遜官宣投資40億美元給OpenAI最強(qiáng)競品Anthropic ? 緯景儲(chǔ)能130億大項(xiàng)目開工 ? 微軟正在自研“精煉”大模型 ? Meta正式推出
推向3納米及以下節(jié)點(diǎn), LPP-EUV將遭遇瓶頸。 中國電子院的HEPS項(xiàng)目產(chǎn)生的是SR光源。論文綜述指出,SR-EUV雖然技術(shù)成熟、成本較低,但EUV光功率達(dá)不到EUV光刻大規(guī)模量產(chǎn)要求。 至于
球首款3納米制程的芯片,CPU和GPU性能分別比上一代提高了10%和20%。此外,iphone15Pro系列的機(jī)型還首次使用了鈦合金外殼,被蘋果稱為史上最輕的Iphone。價(jià)格方面,iphone15的
、90后刷新管理團(tuán)隊(duì)、阿里分家|特稿精選 蘋果iPhone新品芯片升級(jí)至3納米 能否抵擋安卓系“向上”進(jìn)攻? 華為具有5G水平的Mate 60 Pro搶占市場先機(jī),其他國產(chǎn)安卓品牌亦不斷發(fā)力高端市場
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) for 7-nanometer technology. 為重整旗鼓,英特爾于2021年迎回老將基辛格,并提出“四年五個(gè)節(jié)點(diǎn)”計(jì)劃,即四年內(nèi)完成7納米、4納米、3納米、20A(相當(dāng)于2納米)、18A(相當(dāng)于1.8納米
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米、3納米、20A(相當(dāng)于2納米)、18A(相當(dāng)于1.8納米)五個(gè)節(jié)點(diǎn),力爭芯片工藝在2025年重回業(yè)界領(lǐng)先地位。 “只有兌現(xiàn)‘四年五個(gè)節(jié)點(diǎn)’的承諾,實(shí)現(xiàn)技術(shù)路線上的目標(biāo),大家才會(huì)相信英特爾。然后,我
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品,遲遲延期;而臺(tái)積電當(dāng)時(shí)已經(jīng)用更先進(jìn)的EUV(極紫外光刻機(jī))去做7納米工藝。 為重整旗鼓,英特爾于2021年迎回老將基辛格,并提出“四年五個(gè)節(jié)點(diǎn)”計(jì)劃,即四年內(nèi)完成7納米、4納米、3納米、20A(相
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端技術(shù)3納米芯片的樂觀情緒。該產(chǎn)品去年12月量產(chǎn),被視為一項(xiàng)技術(shù)突破,有望徹底改寫從蘋果公司的iPhone到英偉達(dá)的AI生成器在內(nèi)的一切。 但是,由于消費(fèi)需求疲軟,這一美好前景遭遇了一些挫折。本月早些
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備 ? 高通5G芯片采用臺(tái)積電3納米制程 ? 亞馬遜官宣投資40億美元給OpenAI最強(qiáng)競品Anthropic ? 緯景儲(chǔ)能130億大項(xiàng)目開工 ? 微軟正在自研“精煉”大模型 ? Meta正式推出
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推向3納米及以下節(jié)點(diǎn), LPP-EUV將遭遇瓶頸。 中國電子院的HEPS項(xiàng)目產(chǎn)生的是SR光源。論文綜述指出,SR-EUV雖然技術(shù)成熟、成本較低,但EUV光功率達(dá)不到EUV光刻大規(guī)模量產(chǎn)要求。 至于
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