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那么的核心，如果3納米良率提上來，疊加很多其他技術(shù)，成本、功耗可能比2納米還低?！币幻袊?font color=red>大陸芯片投資人對財新稱。值得一提的是，三星的3納米工藝采用了GAA（環(huán)繞柵極晶體管）技術(shù)，以取代此前在先進制程
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難預(yù)測。“未來的技術(shù)演進路線變化很大，現(xiàn)階段是3納米還是2納米，并沒有那么的核心，如果3納米良率提上來，疊加很多其他技術(shù)，成本、功耗可能比2納米還低。”一名中國大陸芯片投資人對財新稱。值得一提的是，三
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FinFET或GAAFET）的邏輯芯片；半間距不超過18納米的DRAM存儲芯片；128層或以上的NAND存儲芯片。這些限制，恰好卡在中國大陸芯片制造廠商已量產(chǎn)的最先進工藝上。 目前，在全球半導(dǎo)體設(shè)備市場，中國大
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手機業(yè)務(wù)線折戟。 而對于這一波的新制裁，2個月前美國設(shè)置的三條紅線，恰好卡在中國大陸芯片制造廠商已量產(chǎn)的最先進工藝上，一名半導(dǎo)體投資人表示，“中芯國際、長鑫存儲、長江存儲最受沖擊，它們可能會被卡在現(xiàn)有
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邏輯芯片；半間距不超過18納米的DRAM存儲芯片；128層或以上的NAND存儲芯片。這些限制，恰好卡在中國大陸芯片制造廠商已量產(chǎn)的最先進工藝上。 目前，在全球半導(dǎo)體設(shè)備市場，中國大陸廠商份額仍然偏低
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得許可證。 三條紅線恰好卡在中國大陸芯片制造廠商已量產(chǎn)的最先進工藝上?！爸行緡H、長鑫存儲、長江存儲最受沖擊，它們可能會被卡在現(xiàn)有水平上，難以向更先進工藝邁進?！币幻麌Y儲、半導(dǎo)體投資人直言。在
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紅線——16納米或14納米或以下非平面晶體管架構(gòu)（即FinFET或GAAFET）的邏輯芯片；半間距不超過18納米的DRAM存儲芯片；128層或以上的NAND存儲芯片。 三條紅線恰好卡在中國大陸芯片制造
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DRAM存儲芯片；128層或以上的NAND存儲芯片。 三條紅線恰好卡在中國大陸芯片制造廠商已量產(chǎn)的最先進工藝上?！爸行緡H、長鑫存儲、長江存儲最受沖擊，它們可能會被卡在現(xiàn)有水平上，難以向更先進工藝邁進
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