【財(cái)新網(wǎng)】國(guó)產(chǎn)內(nèi)存廠(chǎng)商長(zhǎng)鑫科技IPO再進(jìn)一步。12月30日晚間，上交所受理了長(zhǎng)鑫科技集團(tuán)股份有限公司（下稱(chēng)“長(zhǎng)鑫科技”）的科創(chuàng)板上市申請(qǐng)，并公布了首份招股書(shū)。招股書(shū)顯示，長(zhǎng)鑫科技擬募資295億元，保薦人為中金和中信建投。

　　此次募集資金中，130億將用于內(nèi)存（DRAM）技術(shù)升級(jí)項(xiàng)目，該項(xiàng)目總投資為180億元；75億元將用于產(chǎn)線(xiàn)技術(shù)升級(jí)改造；90億元將用于內(nèi)存前瞻技術(shù)研究。

　　內(nèi)存和閃存（NAND）是消費(fèi)電子產(chǎn)品最主要的兩類(lèi)存儲(chǔ)芯片，前者為CPU、GPU等計(jì)算芯片提供臨時(shí)緩存空間，直接決定了計(jì)算的效率；后者構(gòu)成了固態(tài)硬盤(pán)，為系統(tǒng)提供存儲(chǔ)空間。全球存儲(chǔ)市場(chǎng)長(zhǎng)期被三星、SK海力士和美光三家存儲(chǔ)巨頭壟斷，而長(zhǎng)鑫科技、長(zhǎng)江存儲(chǔ)兩家國(guó)內(nèi)廠(chǎng)商正分別在內(nèi)存、閃存兩個(gè)賽道形成突破。